对于应用广泛、增长迅速的 25G 以太网来说，与标准兼容的设备的可用性至关重要。通过交付业内首个全部符合 IEEE 802.3by 25G 以太网标准的 PHY 器件，我们的客户能够开发出符合新标准的产品和应用，从而在 25G 以太网市场上占有一席之地。

  在“如何推动分布式与微电网的结合？”主题讨论环节，乐叶光伏科技有限公司总裁助理唐旭辉表示，强大的技术储备，能节约资源，进而推动行业进步，降低度电成本。

  在IC设计、制造、封装、测试多个领域齐头并进的时候，中国半导体将触角伸向了存储领域，相信这是引致这次韩国成立半导体基金的主要诱因。

  在够快云库发展势头正猛时，却决定从个人云盘转型做企业云盘，这其中有怎样的思考？ 陈翊：个人云盘不可承受之重 在今年上半年四五月份的时候，很多做个人网盘的公司被关闭和停止服务了.

  中国明年将推自主生产3D NAND闪存。由于智能手机以及SSD市场的逐步扩大，而其中必不可少的闪存、内存等存储芯片将成为巨头的竞争点。这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。

  日经新闻2016年10月29日报导，使用于智能手机、存储卡的NAND型快闪存储器（Flash Memory）批发价格进一步走升，10月份指标性产品MLC（Multi-Level Cell）类型64Gb产品价格月增约6%至每个3.3美元左右、为2年来首度突破3美元关卡，128Gb产品也月增1%至4.1美元左右。因生产技术提升，存储器价格一般来说都会跟着时间推移而下滑、因此价格扬升至2年前水准是很罕见的。

  此次三星是使用什么关键技术实现这一超小型SSD的呢？该公司在9月21日于首尔举行的SSD技术发布会“Samsung SSD Global Summit 2016”上，公开了3项要点技术。第一是凭借三维闪存“V-NAND”技术实现了每芯片32GB（256Gbit）的大容量化。也就是运用MLC（Multi Level Cell）技术的第三代V-NAND，尝试在每个芯片内垂直堆叠了48层存储单元。

  5年前，可能你还不了解什么叫SSD固态硬盘？5年后，SSD固态硬盘慢慢的变成了电脑中不可或缺的一款硬件。短短5年时间里，传统的机械硬盘面临被淘汰的命运；取而代之的SSD固态硬盘气吞山河。到底5年时间里，存储行业发生了什么？接下来，我们将从SSD的出货量、性能、容量、价格、品牌等多重维度，详细分析SSD五年的巨变，让大家对SSD行业的发展有更清晰的认识。

  昨天，希捷发布了全球最快的机械硬盘15K HDD v6超能盘（15K.6），服务于数据中心、高性能服务器等，这本是一件骄傲的事情，但背后却有一个令人遗憾的事实，这将是最后一代15K产品。

  我们知道，在华为最新旗舰处理器Kirin960上对UFS2.1的支持，能够让闪存读取速度增加很多，那么这种技术究竟是什么来的？说到UFS 2.0，需要提一下另一个概念eMMC，相信我们大家对eMMC都多少知道。在手机兴起的这几年中，手机的闪传规格有了很大的提高，从eMMC4.3标准慢慢地发展到eMMC 5.0标准，再到今天的UFS2.0闪传标准，实际上都是在进步和提升——UFS 2.0闪传标准有着比eMMC 5.0更快的读取性能。

  如果我没有记错的线G RAM时代三星是全球首个量产并投入商用的，虽然6G RAM的手机在国外可以说是珍稀物种，但是一到国内那是成了普通物种，锤子、ZUK、一加、360、小米、vivo等手机生产厂商哪家没有6G RAM的手机，而今三星再度发力让6G RAM成为了过去时。

  近日，CFA 发布了一种新型的记忆卡技术。它的卡槽能够和 XQD 卡槽相容，速度为 CFast 2.0 卡的 15 倍。影像媒体 PetaPixel 的报导，这种新型的记忆卡名为 CFexpress，是目前最快的记忆卡。这种记忆卡最高的理论速度能达到 8GB/s 的速度，是目前 XQD 储存设备（以 1GB/s 为峰值标准）的 2 到 4 倍，在极为理想的状态下能达到 8 倍速度。

  据海外新闻媒体报道，存储器价格超夯，今年至今韩厂SK 海力士 （SK Hynix ）已经飙升35%，部分外资相当乐观，预言还有20%上行空间。三星将增产？

  一年一度的闪存峰会尽管不像CES、IDF那样引人瞩目，但也算得上是闪存领域顶级规模的盛事了。随着SSD的崛起，闪存峰会的关注群体逐渐从专业厂商扩大到了普通消费者，大家都对更快、更大的存储设备充满期待。当地时间8月9日~11日，2016年闪存峰会在美国加州圣克拉拉如期举办，美光、东芝等老牌巨头纷纷公布了自家最新产品和技术，其中就包括美光与英特尔共同合作开发的3D XPoint。

  半导体嵌入式非易失性存储器（eNVM）知识产权（IP）产品领先提供商Kilopass Technology， Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分层晶闸管（Vertical Layered Thyristor， VLT）技术，进而颠覆全球DRAM市场。VLT存储单元在2015年已通过验证，目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。Kilopass始终致力于推广这项技术，并正与DRAM制造商进行许可协商。

  Trendforce 旗下记忆储存事业处 DRAMeXchange 最新全球内存模组厂排名调查显示，由于 2015 年标准型内存价格下跌与 DIY 市场规模缩小，2015 年全球模组市场总销售额约 79 亿美元，年衰退约 10%。

  在全球存储器芯片龙头三星拉抬报价带动下，dram涨势延续，9月以来已连续三周上涨，涨势明确，伴随追价买盘进场，涨势加大。

  存储器的发展几乎是伴随着电子计算机的发展历史而来的。在发展之初，采用汞线延迟线来进行信息的存储和读写，之后采用磁性材料，再到光学材料等存储器设备，尽管获得了较大的改善，但是仍然面临体积非常庞大、性能有限的挑战，对应用领域的拓展造成了不小的阻碍。

  做存储将近17年历史江波龙电子，从始至终坚持对存储产品的耕耘，目前产品包含U盘、卡类、SSD以及eMMC，公司秉持DMS的服务理念，不停地改进革新存储产品设计与研发，一直为消费者、客户以及合作伙伴带来更具竞争力的产品和更专业的服务，致力为客户产品创造更多的价值。

  目前，我们还无法断定3D NAND是否较平面NAND更具有製造成本的优势，但三星与美光显然都决定把赌注押在3D NAND产品上。如今的问题就在于，海力士（SK Hynix）与东芝（Toshiba）两大市场之间的竞争对手能否也拿出同样具备竞争优势的产品？